View source for मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव

अपने सबसे सामान्य रूप में, मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव (एमई) किसी सामग्री के चुंबकीय और विद्युत गुणों के बीच किसी भी युग्मन को दर्शाता है।<ref name="Fiebig2005"/><ref name="ZurichLab"/>इस तरह के प्रभाव का पहला उदाहरण विल्हेम रॉन्टगन द्वारा 1888 में वर्णित किया गया था, जिन्होंने पाया कि एक विद्युत क्षेत्र के माध्यम से गतिमान एक ढांकता हुआ पदार्थ चुम्बकित हो जाएगा।<ref name="Roentgen1888"/>एक सामग्री जहां इस तरह के युग्मन आंतरिक रूप से मौजूद होते हैं उन्हें मैग्नेटोइलेक्ट्रिक कहा जाता है।

ऐतिहासिक रूप से, इस आशय का पहला और सबसे अधिक अध्ययन किया गया उदाहरण रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव है। गणितीय रूप से, जबकि [[विद्युत संवेदनशीलता]] <math>\chi^e</math> और चुंबकीय संवेदनशीलता <math>\chi^v</math> विद्युत, सम्मान के लिए विद्युत और चुंबकीय ध्रुवीकरण प्रतिक्रियाओं का वर्णन करें। एक चुंबकीय क्षेत्र, वहाँ भी एक magnetoelectric संवेदनशीलता की संभावना है <math>\alpha_{ij}</math> जो चुंबकीय क्षेत्र में विद्युत ध्रुवीकरण की रैखिक प्रतिक्रिया का वर्णन करता है, और इसके विपरीत:<ref name="LandauLifschitz"/>:<math>P_i= \sum_j \epsilon_0\chi^e_{ij} E_{j} + \sum_j \alpha_{ij}H_j</math>
:<math>\mu_0 M_i= \sum_j \mu_0\chi^v_{ij}H_{j} + \sum_j \alpha_{ij}E_j,</math>
टेंसर <math>\alpha</math> दोनों समीकरणों में समान होना चाहिए। यहाँ, P विद्युत ध्रुवीकरण है, M चुंबकत्व है, E और H विद्युत और चुंबकीय क्षेत्र हैं।

की एसआई इकाई <math>\alpha</math> है <math>\frac s m</math> (सेकंड प्रति मीटर) जिसे व्यावहारिक इकाई में बदला जा सकता है <math>\frac V {cm~Oe}</math> द्वारा:<ref name=":1">{{Cite journal|last=Rivera|first=J.-P.|date=2009-10-10|title=मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव और एकल चरण (बहु-) फेरिक पर संबंधित प्रायोगिक तकनीकों की संक्षिप्त समीक्षा|url=https://doi.org/10.1140/epjb/e2009-00336-7|journal=The European Physical Journal B|language=en|volume=71|issue=3|pages=299–313|doi=10.1140/epjb/e2009-00336-7|bibcode=2009EPJB...71..299R |s2cid=18113603 |issn=1434-6036}}</ref>

<math>\alpha \left [ \frac{s}{m} \right ] =
\varepsilon_r \varepsilon_0 \cdot
\frac{4 \pi}{1000} \frac{Oe}{A/m} \cdot
100~\frac{cm}{m} \cdot \alpha \left [ \frac{V}{cm~Oe} \right ] =
1.113 \cdot 10^{-11} \varepsilon_r \cdot \alpha \left [ \frac{V}{cm~Oe} \right ]</math>
सीजीएस इकाई के लिए (गाऊसी इकाइयों को मानते हुए # तर्कसंगत इकाई सिस्टम इकाइयां):<ref name=":1" />

<math>\alpha \left [ unitless \right ] =
c \cdot \alpha \left [ \frac s m \right ]/ (4\pi) =
2.386 \cdot 10^{7} \alpha \left [ \frac s m \right ]</math>
कहाँ <math>c = 2.998 \cdot 10^{8}~m/s</math> निर्वात में प्रकाश की गति है।

पहली सामग्री जहां एक आंतरिक रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव की सैद्धांतिक रूप से भविष्यवाणी की गई थी और प्रयोगात्मक रूप से पुष्टि की गई थी<sub>2</sub>O<sub>3</sub>.<ref name="Dzyaloshinskii1960"/><ref name="Astrov1960"/>यह एकल-चरण सामग्री है। [[मल्टीफ़ाइरिक्स]] एकल-चरण सामग्री का एक और उदाहरण है जो एक सामान्य मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव प्रदर्शित कर सकता है<ref name=":0">{{Cite journal|last1=Spaldin|first1=Nicola A.|last2=Fiebig|first2=Manfred|date=2005-07-15|title=मैग्नेटोइलेक्ट्रिक मल्टीफ़ाइरिक्स का पुनर्जागरण|journal=Science|language=en|volume=309|issue=5733|pages=391–392|doi=10.1126/science.1113357|issn=0036-8075|pmid=16020720|s2cid=118513837 }}</ref> अगर उनके चुंबकीय और विद्युत आदेश युग्मित हैं। [[समग्र सामग्री]] मैग्नेटोइलेक्ट्रिक्स का एहसास करने का एक और तरीका है। वहां, एक मैग्नेटोस्ट्रिक्टिव और एक [[ piezoelectric ]] सामग्री को संयोजित करने का विचार है। ये दो सामग्रियां तनाव से परस्पर क्रिया करती हैं, जिससे यौगिक सामग्री के चुंबकीय और विद्युत गुणों के बीच युग्मन होता है।

ME प्रभाव के कुछ आशाजनक अनुप्रयोग चुंबकीय क्षेत्र, उन्नत तर्क उपकरणों और ट्यून करने योग्य माइक्रोवेव फिल्टर की संवेदनशील पहचान हैं।<ref name="Nan2008"/>


== इतिहास ==
मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव का पहला उदाहरण विल्हेम रॉन्टगन द्वारा 1888 में चर्चा की गई थी, जिन्होंने दिखाया था कि एक विद्युत क्षेत्र के माध्यम से चलने वाली एक ढांकता हुआ सामग्री चुंबकित हो जाएगी।<ref name="Roentgen1888"/>पी. क्यूरी द्वारा एक (गैर-चलती) सामग्री में एक आंतरिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव की संभावना का अनुमान लगाया गया था<ref>P. Curie J. Physique, 3ième série III (1894)</ref> 1894 में, जबकि मैग्नेटोइलेक्ट्रिक शब्द पी। डेबी द्वारा गढ़ा गया था<ref>P. Debye, Z. Phys. 36, 300 (1926)</ref> 1926 में।
रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव का एक गणितीय सूत्रीकरण सैद्धांतिक भौतिकी पर एलडी लांडौ और ई. लाइफशिट्ज की प्रसिद्ध पुस्तक श्रृंखला में शामिल किया गया था।<ref name="LandauLifschitz"/>केवल 1959 में I. Dzyaloshinskii,<ref name="Dzyaloshinskii1960"/>एक सुरुचिपूर्ण समरूपता तर्क का उपयोग करते हुए, Cr में एक रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक कपलिंग के रूप को प्राप्त करें<sub>2</sub>O<sub>3</sub>.
प्रायोगिक पुष्टि कुछ महीने बाद हुई जब पहली बार डी. एस्ट्रोव द्वारा प्रभाव देखा गया।<ref name="Astrov1960"/>सामान्य उत्तेजना जो रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव की माप के बाद MEIPIC (क्रिस्टल में मैग्नेटोइलेक्ट्रिक इंटरेक्शन फेनोमेना) सम्मेलनों की श्रृंखला के संगठन की ओर ले जाती है। I. Dzialoshinskii और MEIPIC प्रथम संस्करण (1973) की भविष्यवाणी के बीच, 80 से अधिक रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक यौगिक पाए गए। हाल ही में, बहुलौह सामग्री के आगमन से बड़े हिस्से में संचालित तकनीकी और सैद्धांतिक प्रगति,<ref>{{Cite journal|last1=Spaldin|first1=Nicola A.|last2=Cheong|first2=Sang-Wook|last3=Ramesh|first3=Ramamoorthy|date=2010|title=Multiferroics: Past, present, and future|journal=Physics Today|language=en|volume=63|issue=10|pages=38|doi=10.1063/1.3502547|bibcode=2010PhT....63j..38S|s2cid=36755212 |url=http://pdfs.semanticscholar.org/90ea/df5db122e3f069cb063fcc5a7da7820ae36c.pdf}}</ref> इन अध्ययनों का पुनर्जागरण शुरू किया<ref name=":0" />और मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव की अभी भी गहन जांच की जा रही है।<ref name="Fiebig2005"/>


== घटना विज्ञान ==

यदि चुंबकीय और विद्युत गुणों के बीच युग्मन विश्लेषणात्मक है, तो विद्युत और चुंबकीय क्षेत्रों में विद्युत श्रृंखला के रूप में [[थर्मोडायनामिक मुक्त ऊर्जा]] के विस्तार से मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव का वर्णन किया जा सकता है। <math>E</math> और <math>H</math>:<ref name="Fiebig2005"/>:<math>\begin{align}
F(E,H) &= F_0 - P^{s}_i E_i - \mu_0 M^{s}_i H_i
    - \frac12 \epsilon_0 \chi^e_{ij} E_i E_j - \frac12 \mu_0 \chi^v_{ij} H_i H_j
\\ &\qquad
- \alpha_{ij} E_i H_j
    -\frac12 \beta_{ijk} E_i H_j H_k -\frac12 \gamma_{ijk}H_i E_j E_k + \ldots
    \end{align}
</math>
मुक्त ऊर्जा को विभेदित करने से [[विद्युत ध्रुवीकरण]] होगा <math>P_i = -\frac{\partial F}{\partial E_i}</math> और चुंबकीयकरण <math>M_i = -\frac{1}{\mu_0} \frac{\partial F}{\partial H_i}</math>.
यहाँ, <math>P^{s}</math> और <math>M^{s}</math> स्थिर ध्रुवीकरण हैं, सम्मान। सामग्री का चुंबकीयकरण, जबकि <math>\chi^e</math> और <math>\chi^v</math> बिजली हैं, सम्मान। चुंबकीय संवेदनशीलता। टेंसर <math>\alpha</math> रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव का वर्णन करता है, जो एक चुंबकीय क्षेत्र द्वारा रैखिक रूप से प्रेरित विद्युत ध्रुवीकरण से मेल खाता है, और इसके विपरीत। गुणांक के साथ उच्च पद <math>\beta</math> और <math>\gamma</math> द्विघात प्रभाव का वर्णन करें। उदाहरण के लिए, टेंसर <math>\gamma</math> एक रेखीय मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव का वर्णन करता है, जो बदले में, एक विद्युत क्षेत्र द्वारा प्रेरित होता है।<ref name="Cardwell1969"/>

उपरोक्त विस्तार में दिखाई देने वाली संभावित शर्तें सामग्री की समरूपता से विवश हैं। सबसे विशेष रूप से, टेंसर <math>\alpha</math> [[समय-उलट समरूपता]] के तहत एंटीसिमेट्रिक होना चाहिए।<ref name="LandauLifschitz"/>इसलिए, रैखिक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव केवल तभी हो सकता है जब समय-उलट समरूपता स्पष्ट रूप से टूट जाती है, उदाहरण के लिए रॉन्टगेंस के उदाहरण में स्पष्ट गति से, या सामग्री में आंतरिक चुंबकीय क्रम से। इसके विपरीत, टेंसर <math>\beta</math> समय-उलट सममित सामग्री में गैर-गायब हो सकता है।

== सूक्ष्म मूल ==
ऐसे कई तरीके हैं जिनमें एक मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव एक सामग्री में सूक्ष्म रूप से उत्पन्न हो सकता है।

=== एकल-आयन अनिसोट्रॉपी ===
क्रिस्टल में, स्पिन-ऑर्बिट युग्मन एकल-आयन [[मैग्नेटोक्रिस्टलाइन अनिसोट्रॉपी]] के लिए जिम्मेदार होता है जो स्पिन के उन्मुखीकरण के लिए अधिमान्य अक्षों को निर्धारित करता है (जैसे कि आसान अक्ष)। एक बाहरी विद्युत क्षेत्र चुंबकीय आयनों द्वारा देखी गई स्थानीय समरूपता को बदल सकता है और अनिसोट्रॉपी की ताकत और आसान अक्षों की दिशा दोनों को प्रभावित कर सकता है। इस प्रकार, एकल-आयन अनिसोट्रॉपी चुंबकीय रूप से आदेशित यौगिकों के स्पिन के लिए बाहरी विद्युत क्षेत्र को जोड़ सकता है।

=== सममित एक्सचेंज सख्त ===
ठोस पदार्थों में संक्रमण धातु आयनों के स्पिन के बीच मुख्य बातचीत आमतौर पर [[ superexchange ]] द्वारा प्रदान की जाती है, जिसे सिमेट्रिक एक्सचेंज भी कहा जाता है। यह अन्योन्य क्रिया क्रिस्टल संरचना के विवरण पर निर्भर करती है जैसे कि चुंबकीय आयनों के बीच बंधन की लंबाई और चुंबकीय और लिगेंड आयनों के बीच बंधनों द्वारा गठित कोण। चुंबकीय इंसुलेटर में यह आमतौर पर चुंबकीय क्रम के लिए मुख्य तंत्र है, और, कक्षीय व्यवसायों और बंधन कोणों के आधार पर, फेरो- या एंटीफेरोमैग्नेटिक इंटरैक्शन का कारण बन सकता है। जैसा कि सममित विनिमय की ताकत आयनों की सापेक्ष स्थिति पर निर्भर करती है, यह स्पिन ओरिएंटेशन को जाली संरचना से जोड़ती है। एक शुद्ध विद्युत द्विध्रुव के साथ एक सामूहिक विरूपण के लिए स्पिन का युग्मन हो सकता है यदि चुंबकीय क्रम व्युत्क्रम समरूपता को तोड़ता है। इस प्रकार, सममित विनिमय बाहरी विद्युत क्षेत्र के माध्यम से चुंबकीय गुणों को नियंत्रित करने के लिए एक संभाल प्रदान कर सकता है।<ref>{{Cite journal|last1=Delaney|first1=Kris T.|last2=Mostovoy|first2=Maxim|last3=Spaldin|first3=Nicola A.|date=2009-04-17|title=चुंबकीय भंवरों में सुपरएक्सचेंज-संचालित मैग्नेटोइलेक्ट्रिकिटी|journal=Physical Review Letters|volume=102|issue=15|pages=157203|doi=10.1103/PhysRevLett.102.157203|pmid=19518672|arxiv=0810.0552|bibcode=2009PhRvL.102o7203D |s2cid=27782114 }}</ref>


=== तनाव संचालित मैग्नेटोइलेक्ट्रिक हेटरोस्ट्रक्चर प्रभाव ===
चूंकि सामग्री विद्युत ध्रुवीकरण (पीजोइलेक्ट्रिक्स, इलेक्ट्रोस्ट्रिक्टिव्स, और फेरोइलेक्ट्रिक्स) के लिए युगल तनाव और चुंबकीयकरण (मैग्नेटोस्ट्रिक्टिव / [[मैग्नेटोइलास्टिक प्रभाव]] / फेरोमैग्नेटिक सामग्री) के लिए युगल तनाव मौजूद है, इसलिए इन सामग्रियों के कंपोजिट बनाकर अप्रत्यक्ष रूप से युगल चुंबकीय और विद्युत गुणों को संभव है। कसकर बंधे होते हैं ताकि उपभेद एक से दूसरे में स्थानांतरित हो जाएं।<ref>{{Cite journal|last1=Newacheck|first1=Scott|last2=Webster|first2=Taylor|last3=Youssef|first3=George|date=2018-10-22|title=मल्टीफ़ेरोइक कंसेंट्रिक कम्पोजिट रिंग के कांसेप्ट मैग्नेटोइलेक्ट्रिक रिस्पॉन्स पर मल्टीडायरेक्शनल बायस मैग्नेटिक फील्ड का प्रभाव|journal=Applied Physics Letters|volume=113|issue=17|pages=172902|doi=10.1063/1.5050631|issn=0003-6951|bibcode=2018ApPhL.113q2902N|s2cid=125847351 }}</ref>
पतली फिल्म रणनीति एक मैग्नेटोलेस्टिक प्रभाव और एक पीजोइलेक्ट्रिक घटक से युक्त हेटरोस्ट्रक्चर में एक यांत्रिक चैनल के माध्यम से इंटरफेसियल मल्टीफ़ाइरोइक युग्मन की उपलब्धि को सक्षम करती है।<ref name="Srinivasan2002"/>इस प्रकार की हेटरोस्ट्रक्चर एक पीजोइलेक्ट्रिक सब्सट्रेट पर उगाई गई एक एपिटैक्सियल मैग्नेटोलेस्टिक पतली फिल्म से बना है। इस प्रणाली के लिए, एक चुंबकीय क्षेत्र के अनुप्रयोग से मैग्नेटोलेस्टिक प्रभाव फिल्म के आयाम में बदलाव आएगा। यह प्रक्रिया, जिसे मैग्नेटोस्ट्रिक्शन कहा जाता है, मैग्नेटोइलास्टिक फिल्म में अवशिष्ट तनाव की स्थिति को बदल देगी, जिसे इंटरफ़ेस के माध्यम से पीजोइलेक्ट्रिक सब्सट्रेट में स्थानांतरित किया जा सकता है। नतीजतन, पीजोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया के माध्यम से सब्सट्रेट में एक ध्रुवीकरण पेश किया जाता है।

समग्र प्रभाव यह है कि फेरोइलेक्ट्रिक सब्सट्रेट के ध्रुवीकरण को चुंबकीय क्षेत्र के एक अनुप्रयोग द्वारा हेरफेर किया जाता है, जो वांछित मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव है (रिवर्स भी संभव है)। इस मामले में, मैग्नेटोइलेक्ट्रिक कपलिंग को महसूस करते हुए, इंटरफ़ेस एक घटक से दूसरे घटक की प्रतिक्रियाओं की मध्यस्थता में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।<ref name="Scott2007"/>एक कुशल युग्मन के लिए, इष्टतम तनाव स्थिति वाला एक उच्च-गुणवत्ता वाला इंटरफ़ेस वांछित है। इस रुचि के आलोक में, इस प्रकार की पतली फिल्म हेटरोस्ट्रक्चर को संश्लेषित करने के लिए उन्नत जमाव तकनीकों को लागू किया गया है। पीजोइलेक्ट्रिक और मैग्नेटोस्ट्रिक्टिव घटकों से युक्त संरचनाओं को जमा करने में सक्षम होने के लिए आणविक बीम एपिटॉक्सी का प्रदर्शन किया गया है। अध्ययन की गई सामग्री प्रणालियों में कोबाल्ट फेराइट, मैग्नेटाइट, SrTiO3, BaTiO3, PMNT शामिल हैं।<ref>{{cite journal | last1 = Xie | first1 = S. | last2 = Cheng | first2 = J. | display-authors = etal   | year = 2008 | title =  Interfacial structure and chemistry of epitaxial CoFe[sub 2]O[sub 4] thin films on SrTiO[sub 3] and MgO substrates| doi = 10.1063/1.3006060 | journal = Appl. Phys. Lett. | volume = 93 | issue = 18| pages = 181901–181903 | bibcode = 2008ApPhL..93r1901X }}</ref><ref>{{cite journal | last1 = Bibes | first1 = M. | last2 = Barthélémy | first2 = A. | year = 2008 | title = Multiferroics: Towards a magnetoelectric memory| journal = Nature Materials | volume = 7 | issue = 6| pages = 425–426 | doi=10.1038/nmat2189| pmid = 18497843 | bibcode = 2008NatMa...7..425B}}</ref><ref>{{cite journal | last1 = Yang | first1 = J. J. | last2 = Zhao | first2 = Y.G. | display-authors = etal   | title =  Electric field manipulation of magnetization at room temperature in multiferroic CoFe[sub 2]O[sub 4]/Pb(Mg[sub 1/3]Nb[sub 2/3])[sub 0.7]Ti[sub 0.3]O[sub 3] heterostructures| doi = 10.1063/1.3143622 | journal = Applied Physics Letters | volume = 94 | issue = 21| year = 2009 | pages=212504| bibcode = 2009ApPhL..94u2504Y}}</ref>


=== फ्लेक्सोमैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव ===
चुंबकीय रूप से संचालित फेरोइलेक्ट्रिकिटी भी अमानवीय के कारण होती है<ref name="Baryakhtar1983"/>मैग्नेटोइलेक्ट्रिक इंटरैक्शन। यह प्रभाव अमानवीय क्रम के मापदंडों के बीच युग्मन के कारण प्रकट होता है। इसे फ्लेक्सोमैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव भी कहा जाता था।<ref>{{cite journal |last1=Pyatakov |first1=A.P. |last2=Zvezdin |first2=A.K. |year=2009 |title=मल्टीफ़ाइरिक्स में फ्लेक्सोमैग्नेटोइलेक्ट्रिक इंटरैक्शन|journal=Eur. Phys. J. B |volume=71 |issue=3 |pages=419–427 |doi=10.1140/epjb/e2009-00281-5 |bibcode=2009EPJB...71..419P|s2cid=122234441 }}</ref> आमतौर पर यह [[लिफ़्शिट्ज]] इनवेरिएंट (यानी सिंगल-कॉन्स्टेंट कपलिंग टर्म) का उपयोग करके वर्णन कर रहा है।<ref>{{cite journal |last1=Mostovoy |first1=M. |year=2006 |title=सर्पिल मैग्नेट में फेरोइलेक्ट्रिसिटी|journal=Phys. Rev. Lett. |volume=96 |issue=6 |page=067601 |doi=10.1103/physrevlett.96.067601 |pmid=16606047 |arxiv=cond-mat/0510692 |bibcode=2006PhRvL..96f7601M|s2cid=36936649 }}</ref> यह दिखाया गया था कि क्यूबिक क्यूबिक क्रिस्टल सिस्टम #hexoctahedral_link क्रिस्टल के सामान्य मामले में चार परिघटना संबंधी स्थिरांक दृष्टिकोण सही है।<ref>{{cite journal |last=Tanygin |first=B.M. |year=2011 |title=फ्लेक्सोमैग्नेटोइलेक्ट्रिक इंटरैक्शन की मुक्त ऊर्जा पर|journal=Journal of Magnetism and Magnetic Materials |volume=323 |issue=14 |pages=1899–1902 |doi=10.1016/j.jmmm.2011.02.035 |arxiv=1105.5300 |bibcode=2011JMMM..323.1899T|s2cid=119225609 }}</ref> फ्लेक्सोमैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव सर्पिल मल्टीफ़ाइरिक्स में दिखाई देता है<ref>{{cite journal |last1=Kimura |first1=T. |display-authors=etal  |year=2003 |title=फेरोइलेक्ट्रिक ध्रुवीकरण का चुंबकीय नियंत्रण|journal=[[Nature (journal)|Nature]] |volume=426 |issue=6962 |pages=55–58 |doi=10.1038/nature02018 |pmid=14603314 |bibcode=2003Natur.426...55K|s2cid=205209892 }}</ref> या [[डोमेन दीवार (चुंबकत्व)]] जैसी सूक्ष्म चुंबकीय संरचनाएं<ref>{{cite journal |last1=Logginov |first1=A.S. |last2=Meshkov |first2=G.A. |last3=Nikolaev |first3=A.V. |last4=Nikolaeva |first4=E.P. |last5=Pyatakov |first5=A.P. |last6=Zvezdin |first6=A.K. |year=2008 |title=लोहे की गार्नेट फिल्मों में सूक्ष्म चुंबकीय संरचना का कमरे का तापमान मैग्नेटोइलेक्ट्रिक नियंत्रण|journal=[[Applied Physics Letters]] |volume=93 |issue=18 |page=182510 |doi=10.1063/1.3013569 |bibcode=2008ApPhL..93r2510L}}</ref> और चुंबकीय भंवर।<ref>{{cite journal |first1=A.P. |last1=Pyatakov |first2=G.A. |last2=Meshkov |year=2010 |title=चुंबकीय डाइलेक्ट्रिक्स में विद्युत रूप से स्थिर चुंबकीय भंवर और एंटीवॉर्टेक्स राज्य|journal=Moscow University Physics Bulletin |volume=65 |issue=4 |pages=329–331 |bibcode=2010arXiv1001.0391P |arxiv=1001.0391 |doi=10.3103/S0027134910040156|s2cid=122153369 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Pyatakov |first1=A.P. |last2=Meshkov |first2=G.A. |last3=Zvezdin |first3=A.K. |year=2012 |title = Electric polarization of magnetic textures: New horizons of micromagnetism |journal=[[Journal of Magnetism and Magnetic Materials]] |volume=324 |issue=21 |pages=3551–3554 |doi=10.1016/j.jmmm.2012.02.087 |arxiv=1211.2403 |bibcode=2012JMMM..324.3551P|s2cid=118383876 }}</ref>
सूक्ष्म चुंबकीय संरचना से विकसित फेरोइलेक्ट्रिसिटी किसी भी चुंबकीय सामग्री में सेंट्रोसिमेट्रिक एक में भी दिखाई दे सकती है।<ref>{{cite journal |last=Dzyaloshinskii |first=I. |year=2008 |title=फेरोमैग्नेट्स में मैग्नेटोइलेक्ट्रिसिटी|journal=[[EPL (journal)|EPL]] |volume=83 |issue=6 |page=67001 |doi=10.1209/0295-5075/83/67001 |bibcode=2008EL.....8367001D|s2cid=119672380 }}</ref> डोमेन दीवारों के समरूपता वर्गीकरण के निर्माण से किसी भी चुंबकीय डोमेन दीवार की मात्रा में विद्युत ध्रुवीकरण रोटेशन के प्रकार का निर्धारण होता है। मौजूदा समरूपता वर्गीकरण<ref name="Baryakhtar1984j"/>उनकी मात्रा में विद्युत ध्रुवीकरण स्थानिक वितरण की भविष्यवाणी के लिए चुंबकीय डोमेन की दीवारों को लागू किया गया था।<ref name="Baryakhtar1984"/><ref name="Tanygin2011"/>लगभग सभी [[समरूपता समूह]]ों के लिए भविष्यवाणियां फेनोमेनोलॉजी के अनुरूप होती हैं जिसमें सजातीय चुंबकीयकरण जोड़े सजातीय ध्रुवीकरण के साथ होते हैं। समरूपता और [[फेनोमेनोलॉजी (कण भौतिकी)]] सिद्धांत के बीच कुल [[तालमेल]] प्रकट होता है यदि विद्युत ध्रुवीकरण स्थानिक डेरिवेटिव के साथ ऊर्जा शर्तों को ध्यान में रखा जाता है।<ref name="Tanygin2010"/>


== यह भी देखें ==
* [[पीजोइलेक्ट्रिसिटी]]
*मल्टीफ़ाइरिक्स
* [[एक्सचेंज इंटरेक्शन]]

==संदर्भ==
{{reflist|25em|refs=

<ref name="Fiebig2005">{{cite journal |last1=Fiebig |first1=M. |year=2005 |title=Revival of the magnetoelectric effect |journal=Journal of Physics D: Applied Physics |volume=38 |issue=8 |page=R123 |doi=10.1088/0022-3727/38/8/R01 |bibcode=2005JPhD...38R.123F|s2cid=121588385 }}</ref>

<ref name="ZurichLab">{{cite web |publisher=ETH Zürich |department=Laboratory for Multifunctional Ferroic Materials |url=http://www.ferroic.mat.ethz.ch/research/condensed-matter/magnetoelectric-effect.html |title=Magnetoelectric Effect |series=Condensed matter research |access-date=15 July 2017}}</ref>

<ref name="Nan2008">{{cite journal |last1=Nan |first1=C.W. |last2=Bichurin |first2=M.I. |last3=Dong |first3=Shuxiang |last4=Viehland |first4=D. |last5=Srinivasan |first5=G. |year=2008 |title=Multiferroic magnetoelectric composites: Historical perspective, status, and future directions |doi=10.1063/1.2836410 |journal=Journal of Applied Physics |volume=103 |issue=3 |pages=031101–031101–35 |bibcode=2008JAP...103c1101N |s2cid=51900508 |url=http://pdfs.semanticscholar.org/2d6f/0550d969805d25d77f44a2fc3be16dd78264.pdf |archive-url=https://web.archive.org/web/20200412143945/http://pdfs.semanticscholar.org/2d6f/0550d969805d25d77f44a2fc3be16dd78264.pdf |url-status=dead |archive-date=2020-04-12 }}</ref>

<ref name="Roentgen1888">{{cite journal |last=Röntgen |first=W.C. |year=1888 |title=Ueber die durch Bewegung eines im homogenen electrischen Felde befindlichen Dielectricums hervorgerufene electrodynamische Kraft |lang=de |journal=Ann. Phys. |volume=35 |issue=10 |page=264 |doi=10.1002/andp.18882711003 |bibcode=1888AnP...271..264R |url=https://zenodo.org/record/1423845}}</ref>

<ref name="LandauLifschitz">{{cite book |author1=Landau, L. |author2=Lifshitz, E. |title=Electrodynamics of Continuous Media |publisher=Pergamon Press |year=1960}}</ref>

<ref name="Dzyaloshinskii1960">{{cite journal |first1=I. |last1=Dzyaloshinskii |journal=Zh. Eksp. Teor. Fiz. |volume=37 |page=881 |year=1960 |url=http://jetp.ras.ru/cgi-bin/dn/e_010_03_0628.pdf |title=On the Magneto-Electrical Effect in Antiferromagnets}}</ref>

<ref name="Astrov1960">{{cite journal |first1=D. |last1=Astrov |journal=Sov. Phys. JETP |volume=11 |page=708 |year=1960 |title=The magnetoelectric effect in antiferromagnetics |url=http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/dn/e_011_03_0708.pdf}}</ref>

<ref name="Cardwell1969">{{cite journal |first1=M.J. |last1=Cardwell |journal=Philosophical Magazine |volume=20 |issue=167 |page=1087 |year=1969 |title=Measurements of the magnetic field dependent electric susceptibility of yttrium iron garnet |doi=10.1080/14786436908228077 |bibcode=1969PMag...20.1087C }}</ref>

<ref name="Srinivasan2002">{{cite journal |last=Srinivasan |first=G. |title=Magnetoelectric effects in bilayers and multilayers of magnetostrictive and piezoelectric perovskite oxides |doi=10.1103/physrevb.65.134402 |journal=Phys. Rev. B |volume=65 |issue=13 |page=134402 |year=2002 |bibcode=2002PhRvB..65m4402S}}</ref>

<ref name="Scott2007">{{cite journal |last1=Scott |first1=J.F. |title=Data storage: Multiferroic memories |doi=10.1038/nmat1868 |pmid=17351613 |journal=Nature Materials |volume=6 |issue=4 |year=2007 |pages=256–257 |bibcode=2007NatMa...6..256S |url=http://eprints.esc.cam.ac.uk/668/1/Scott_NatureMats6%282007%29.pdf}}</ref>

<ref name="Baryakhtar1983">{{cite journal |last1=Baryakhtar |first1=V.G. |last2=L'vov |first2=V.A. |last3=Yablonskiy |first3=D.A. |year=1983 |title=Spin reversal in 180&nbsp;domain walls of the spin-flop phase of ease-axis antiferromagnets |journal=[[JETP Lett.]] |volume=37 |issue=12 |pages=673–675 |bibcode=1983JETPL..37..673B}}</ref>

<ref name="Baryakhtar1984j">{{cite journal |last1=Baryakhtar |first1=V. |last2=L'vov |first2=V. |last3=Yablonsky |first3=D. |year=1984 |title=Magnetic symmetry of the domain walls in magnetically ordered crystals  |journal=[[Sov. Phys. JETP]] |volume=60 |issue=5 |pages=1072–1080|bibcode=1984JETP...60.1072B }}</ref>

<ref name="Baryakhtar1984">{{cite book |first1=V.G. |last1=Baryakhtar |first2=V.A. |last2=L'vov |first3=D.A. |last3=Yablonskiy |chapter=Chapter&nbsp;2 – Theory of electric polarization of domain boundaries in magnetically ordered crystals |editor1=Prokhorov, A.M. |editor2=Prokhorov, A.S. |title=Problems in solid-state physics |pages=56–80 |publisher=Mir Publishers |place=Moscow, RU |year=1984}}</ref>

<ref name="Tanygin2011">{{cite journal |last=Tanygin |first=B.M. |year=2011 |title=Symmetry theory of the flexomagnetoelectric effect in the magnetic domain walls |doi=10.1016/j.jmmm.2010.10.028 |journal=Journal of Magnetism and Magnetic Materials |volume=323 |issue=5 |pages=616–619 |arxiv=1007.3524 |bibcode=2011JMMM..323..616T|s2cid=119111445 }}</ref>

<ref name="Tanygin2010">{{cite conference |last=Tanygin |first=B.M. |year=2010 |title=Inhomogeneous magnetoelectric effect on defect in multiferroic Material: Symmetry prediction |doi=10.1088/1757-899x/15/1/012073 |series=IOP Conference Series |conference=Materials Science and Engineering |volume=15 |issue=15 |page=012073 |arxiv=1007.3531 |bibcode=2010MS&E...15a2073T}}</ref>

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