कर्ट लेहोवेक
Kurt Lehovec | |
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| जन्म | 12 June 1918 Ledvice, Czech Republic |
| मर गया | 17 February 2012 (aged 93) California, USA |
कर्ट लेहोवेक (12 जून, 1918 - 17 फरवरी, 2012) एकीकृत सर्किट के अग्रदूतों में से एक थे। सौर सेल|फोटो-वोल्टाइक प्रभाव, प्रकाश उत्सर्जक डायोड और बैटरी के इतिहास#आविष्कार में भी अग्रणी रहते हुए, उन्होंने गार्ड रिंग के साथ हर सर्किट तत्व में उपयोग किए जाने वाले पी-एन जंक्शन अलगाव की अवधारणा को नया रूप दिया: एक रिवर्स-बायस्ड उस तत्व की तलीय परिधि के चारों ओर p-n जंक्शन। यह पेटेंट रॉबर्ट सी. स्प्रेग (आविष्कारक) को सौंपा गया था।[1][2] क्योंकि लेहोवेक स्प्रैग के साथ वेतन के अधीन था, उसे इस आविष्कार के लिए केवल एक डॉलर का भुगतान किया गया था।
लेहोवेक को फ़ास्ट आयन कंडक्टिविटी की खोज का श्रेय भी दिया जाता है।
लेहोवेक का जन्म 12 जून, 1918 को बोहेमिया के उत्तरी साम्राज्य के गुर्दे में हुआ था, जो अब चेक गणराज्य का हिस्सा है। उन्होंने वहां शिक्षा प्राप्त की और ऑपरेशन पेपरक्लिप के तत्वावधान में 1947 में अमेरिका चले गए[3] जिसने वैज्ञानिकों और इंजीनियरों को प्रवास करने की अनुमति दी। कार्ल एकार्डो और एडवर्ड जामगोचियन के साथ, उन्होंने पहले प्रकाश उत्सर्जक डायोड की व्याख्या की[4] ओलेग लोसेव द्वारा पिछले काम का हवाला देते हुए।
ठोस अवस्था में तेज आयनिक चालन का महत्वपूर्ण मामला आयनिक क्रिस्टल की सतह अंतरिक्ष-आवेश परत में से एक है। इस तरह के चालन की भविष्यवाणी सबसे पहले के. लेहोवेक ने पेपर स्पेस-चार्ज लेयर और आयनिक क्रिस्टल की सतह पर जाली दोषों के वितरण (जे. केम. फिज। 1953. वी.21. पी.1123 -1128) में की थी। स्पेस-चार्ज परत में नैनोमीटर मोटाई होती है, प्रभाव सीधे nanoionics (नैनोऑनिक्स-I) से संबंधित होता है। बैटरी का इतिहास आधुनिक पोर्टेबल लिथियम बैटरी और ईंधन कोशिकाओं में उपयोग किए जाने वाले बहुसंख्यक नैनोसंरचित तेज आयन कंडक्टर के निर्माण के लिए एक आधार बनाता है।
लेहोवेक लॉस एंजिल्स, कैलिफोर्निया में दक्षिणी कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय में प्रोफेसर एमेरिटस थे, और यूएससी लेहोवेक से सेवानिवृत्ति के बाद कविता लिखना शुरू किया।[5] वह 93 वर्ष की आयु में 2012 में अपनी मृत्यु तक दक्षिणी कैलिफोर्निया में रहे।[6]
प्रकाशन
यह भी देखें
टिप्पणियाँ
- ↑ Kurt Lehovec, U.S. Patent 3,029,366 awarded on April 10, 1962, filed April 22, 1959.
- ↑ Robert Noyce credits Lehovec in his article – "Microelectronics", Scientific American, September 1977, Volume 23, Number 3, pp. 63–9.
- ↑ Kurt Lehovec's Professional Career[permanent dead link]
- ↑ K. Lehovec, C. A. Accardo, AND E. Jamgochian, "Injected Light Emission of Silicon Carbide Crystals". Archived 2013-10-06 at the Wayback Machine, The Physical Review 83, #3, 603-607 August 1, 1951
- ↑ Some of Lehovec's poetry publications
- ↑ "Obituaries: Donald Payne, Kurt Lehovec", Los Angeles Times, retrieved 18 July 2014
बाहरी संबंध
- The Americanisation Of Kurt Lehovec, Electronics Weekly, retrieved 18 July 2014