कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड

कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड
	; CIGS यूनिट सेल। लाल = Cu, पीला = Se, नीला = In/Ga
Identifiers
CAS Number	12018-95-0(CuInSe2);
ChemSpider	24774055 [<del.> chemspider];
Properties
Chemical formula	CuIn1−xGaxSe2
Molar mass
Density	~5.7 g/cm3
Melting point	1,070 to 990 °C (1,960 to 1,810 °F; 1,340 to 1,260 K) (x = 0–1)
Band gap	1.0–1.7 eV (x = 0–1)
Structure
Crystal structure	tetragonal, Pearson symbol tI16
Space group	I42d
Lattice constant	a = 0.56–0.58 nm (x = 0–1), c = 1.10–1.15 nm (x = 0–1)
	Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa). Infobox references

कॉपर इंडियम गैलियम (द्विसेलेनाइड) (सीआईजीएस) एक क्षार धातु-समूह 3 तत्व-समूह 6₂ तत्व है सेमीकंडक्टर पदार्थ है जो कॉपर, इंडियम, गैलियम और सेलेनियम से बना है। इस पदार्थ में ताँबा इंडियम सेलेनाइड (सीआईएस के रूप में संक्षेपित किया जाता है) और कॉपर गैलियम सेलेनाइड का एक ठोस समाधान होता है। इसका रासायनिक सूत्र CuIn_1−xGa_xSe₂ होता है, जहां x की मान 0 (शुद्ध कॉपर इंडियम सेलेनाइड) से 1 (शुद्ध कॉपर गैलियम सेलेनाइड) तक विभिन्न हो सकती है। सीआईजीएस एक चतुष्फलकीय रासायनिक बंध सेमीकंडक्टर है, जिसमें चैल्कोपाइट क्रिस्टल संरचना होती है, और एक ऊर्जा अंतराल लगभग 1.0 eV (कॉपर इंडियम सेलेनाइड के लिए) से लगभग 1.7 eV (कॉपर गैलियम सेलेनाइड के लिए) x के साथ लगातार बदलता रहता है।

संरचना

सीआईजीएस एक त्रिकोणात्मक बंधित सेमीकंडक्टर है, जिसमें चैल्कोपाइट संरचना होती है। गर्म करने पर इसे जिंक ब्लेंड रूप में परिवर्तित किया जाता है और संक्रमण तापमान x = 0 के लिए 1045 °C से x = 1 के लिए 805 °C तक कम होता है।^[1]

अनुप्रयोग

कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल कोशिकाओं के लिए सामग्री के रूप में सबसे अच्छी तरह से जाना जाता है, एक पतली फिल्म सौर सेल | फोटोवोल्टिक उद्योग में उपयोग की जाने वाली पतली फिल्म तकनीक।^[2] इस भूमिका में, सीआईजीएस का एक लाभ है कि यह मुलायम प्रतिधारक सामग्री पर ठोस किया जा सकता है, जिससे उच्चतम लचीलापन और हल्के सौर पैनल उत्पन्न होते हैं। प्रदर्शन की सुधार ने सीआईजीएस को वैकल्पिक सेल सामग्रियों के बीच स्थापित तकनीक बना दिया है।

यह भी देखें

कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल
सीजेडटीएस
सीआईजीएस कंपनियों की सूची

संदर्भ

↑ ^1.0 ^1.1 ^1.2 ^1.3 Tinoco, T.; Rincón, C.; Quintero, M.; Pérez, G. Sánchez (1991). "Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuIn_yGa_1−ySe₂ Alloys". Physica Status Solidi A. 124 (2): 427. Bibcode:1991PSSAR.124..427T. doi:10.1002/pssa.2211240206.
↑ "डीओई सोलर एनर्जी टेक्नोलॉजीज प्रोग्राम पीयर रिव्यू" (PDF). U.S. department of energy 2009. Retrieved 10 February 2011.

[str-1] 1.0 ^1.1 ^1.2 ^1.3 Tinoco, T.; Rincón, C.; Quintero, M.; Pérez, G. Sánchez (1991). "Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuIn_yGa_1−ySe₂ Alloys". Physica Status Solidi A. 124 (2): 427. Bibcode:1991PSSAR.124..427T. doi:10.1002/pssa.2211240206.

[2] "डीओई सोलर एनर्जी टेक्नोलॉजीज प्रोग्राम पीयर रिव्यू" (PDF). U.S. department of energy 2009. Retrieved 10 February 2011.

[1]

[2]

कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड

Contents

संरचना

अनुप्रयोग

यह भी देखें

संदर्भ

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Identifiers
CIGS यूनिट सेल। लाल = Cu, पीला = Se, नीला = In/Ga
CAS Number	12018-95-0(CuInSe₂)
ChemSpider	24774055^{Y[<del.> chemspider]}
Properties
Chemical formula	CuIn_1−xGa_xSe₂
Molar mass
Density	~5.7 g/cm³
Melting point	1,070 to 990 °C (1,960 to 1,810 °F; 1,340 to 1,260 K) (x = 0–1)^[1]
Band gap	1.0–1.7 eV (x = 0–1)^[1]
Structure
Crystal structure	tetragonal, Pearson symbol tI16 ^[1]
Space group	I42d
Lattice constant	a = 0.56–0.58 nm (x = 0–1), c = 1.10–1.15 nm (x = 0–1)
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa). Infobox references