जूलियस एडगर लिलिएनफेल्ड

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J. E. Lilienfeld
Julius Edgar Lilienfeld (1881-1963).jpg
Lilienfeld at age 53
जन्म(1882-04-18)April 18, 1882
Lemberg, Galicia, Austro-Hungarian Empire
मर गयाAugust 28, 1963(1963-08-28) (aged 81)
Charlotte Amalie, Virgin Islands, U.S.
नागरिकताAustro-Hungarian (1882 – September 1919)
Polish (1919–1934)
American (1934–1963)
अल्मा मेटरFriedrich-Wilhelms-Universität
के लिए जाना जाता हैField-effect transistor
Electrolytic capacitor
Scientific career
खेतPhysicist
Electrical engineer
संस्थानोंLeipzig University
Amrad, Inc
Ergon Research Laboratories
Doctoral advisorMax Planck
Emil Warburg
Other academic advisorsJacobus Henricus van 't Hoff
Signature
Julius Lilienfeld signature.png

जूलियस एडगर लिलिएनफेल्ड (18 अप्रैल, 1882 - 28 अगस्त, 1963) एक ऑस्ट्रो-हंगेरियन-अमेरिकी भौतिक विज्ञानी और इलेक्ट्रिकल इंजीनियर थे, जिन्हें क्षेत्र प्रभाव (अर्धचालक) |फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (एफईटी) (1925) पर पहले पेटेंट का श्रेय दिया गया है। वह कभी भी इस अवधारणा के आधार पर एक कार्यशील व्यावहारिक अर्धचालक उपकरण बनाने में सक्षम नहीं थे, इसके अलावा, विद्वान पत्रिकाओं में लेख प्रकाशित करने में उनकी विफलता के कारण और चूंकि उच्च शुद्धता अर्धचालक सामग्री उनके लिए उपलब्ध नहीं थी, उनके एफईटी पेटेंट ने कभी प्रसिद्धि हासिल नहीं की, जिससे बाद के आविष्कारकों के लिए भ्रम पैदा हो गया।[1]


प्रारंभिक जीवन

लिलिएनफेल्ड का जन्म ऑस्ट्रो-हंगेरियन साम्राज्य के ऑस्ट्रियाई हिस्से में लेम्बर्ग (वर्तमान ल्वीव) में एक यहूदी परिवार में हुआ था। लिलिएनफेल्ड के पिता वकील सिगमंड लिलिएनफेल्ड थे, उनकी मां सारा जम्पोलर लिलिएनफेल्ड थीं।[2]


शिक्षा

1899 में हाई स्कूल में स्नातक होने के बाद,[3] 1900 और 1904 के बीच, लिलिएनफेल्ड ने बर्लिन के हम्बोल्ट विश्वविद्यालय|फ्रेडरिक-विल्हेम्स-यूनिवर्सिटेट (1949 में इसका नाम बदलकर हम्बोल्ट विश्वविद्यालय रखा गया) में अध्ययन किया, जहां उन्होंने अपनी पीएच.डी. प्राप्त की। 18 फरवरी, 1905 को। 1905 में, उन्होंने लीपज़िग विश्वविद्यालय के भौतिकी संस्थान में एक अप्रशिक्षित प्रोफेसर के रूप में काम शुरू किया।

कैरियर

लिलिएनफेल्ड के शुरुआती करियर में, लीपज़िग विश्वविद्यालय में, उन्होंने लगभग 1910 के बाद से, धातु इलेक्ट्रोड के बीच खालीपन में विद्युत निर्वहन पर महत्वपूर्ण प्रारंभिक कार्य किया।[4] उनका प्रारंभिक जुनून यह स्पष्ट करना था कि वैक्यूम तैयारी तकनीकों में सुधार के साथ यह घटना कैसे बदल गई। किसी भी अन्य वैज्ञानिक से अधिक, वह एक अलग भौतिक प्रभाव के रूप में क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन की पहचान के लिए जिम्मेदार थे। (उन्होंने इसे ऑटो-इलेक्ट्रॉनिक उत्सर्जन कहा, और चिकित्सा अनुप्रयोगों में लघु एक्स-रे ट्यूबों के लिए एक संभावित इलेक्ट्रॉन स्रोत के रूप में इसमें रुचि रखते थे।) लिलिएनफेल्ड क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन की प्रयोगात्मक घटना विज्ञान के अंग्रेजी में पहले विश्वसनीय खाते के लिए जिम्मेदार थे, 1922 में। इस प्रभाव को 1928 में राल्फ एच. फाउलर और लोथर वोल्फगैंग नॉर्डहाइम द्वारा समझाया गया था।

लिलिएनफेल्ड अपने पेटेंट दावों को आगे बढ़ाने के लिए 1921 में संयुक्त राज्य अमेरिका चले गए, 1926 में स्थायी रूप से रहने के लिए लीपज़िग में अपनी प्रोफेसरशिप से इस्तीफा दे दिया। 1928 में, उन्होंने माल्डेन, मैसाचुसेट्स में एमराड में काम करना शुरू किया, जिसे बाद में मैग्नेवॉक्स के स्वामित्व वाली एर्गोन रिसर्च लेबोरेटरीज कहा गया, जो बंद हो गई। 1935.[1]

संयुक्त राज्य अमेरिका में लिलिएनफेल्ड ने एनोडिक एल्यूमीनियम ऑक्साइड फिल्मों पर शोध किया, 1931 में विद्युत - अपघटनी संधारित्र का पेटेंट कराया, इस पद्धति का उपयोग पूरी शताब्दी में जारी रहा। उन्होंने फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर जैसे ट्रांजिस्टर का भी आविष्कार किया, ट्रांजिस्टर के निर्माण और संचालन के साथ-साथ आधुनिक ट्रांजिस्टर की कई विशेषताओं का वर्णन करते हुए कई पेटेंट दाखिल किए। (यूएस पेटेंट #1,745,175[5] FET-जैसे ट्रांजिस्टर के लिए 28 जनवरी 1930 को अनुमति दी गई थी।)[6] जब वाल्टर हाउसर ब्रैटन, जॉन बार्डीन और उनके सहयोगी रसायनज्ञ रॉबर्ट गिब्नी ने अपने शुरुआती उपकरणों पर पेटेंट प्राप्त करने की कोशिश की, तो उनके अधिकांश दावे लिलिएनफेल्ड पेटेंट के कारण खारिज कर दिए गए।[7] जब इलेक्ट्रॉन किसी धातु की सतह से टकराते हैं तो उत्सर्जित होने वाले ऑप्टिकल विकिरण को लिलिएनफेल्ड विकिरण नाम दिया गया है क्योंकि उन्होंने पहली बार इसे एक्स-रे ट्यूब एनोड के करीब खोजा था। इसकी उत्पत्ति का श्रेय धातु की सतह में प्लास्मोन की उत्तेजना को दिया जाता है।[8][9][10] अमेरिकन फिजिकल सोसायटी ने अमेरिकन फिजिकल सोसाइटी पुरस्कारों और पुरस्कारों की सूची में से एक का नाम #L लिलिएनफेल्ड के नाम पर रखा है।[11]


निजी जीवन

लिलिएनफेल्ड एक जर्मन भाषी अशकेनाज़ी यहूदी था जो ऑस्ट्रिया-हंगरी का नागरिक था[12] और बाद में संयुक्त राज्य अमेरिका और पोलैंड में दोहरी नागरिकता प्राप्त की।[13] उन्होंने 2 मई, 1926 को न्यूयॉर्क शहर में एक अमेरिकी, बीट्राइस गिन्सबर्ग से शादी की। वे विंचेस्टर, मैसाचुसेट्स में रहते थे, जहां लिलिएनफेल्ड माल्डेन में एर्गन रिसर्च लेबोरेटरीज के निदेशक थे, 1934 में संयुक्त राज्य अमेरिका के नागरिक बन गए। 1935 में इसके बंद होने के बाद, उन्होंने और उनकी पत्नी ने सेंट थॉमस, यू.एस. वर्जिन आइलैंड्स|सेंट में एक घर बनाया। गेहूं के खेतों से जुड़ी गेहूं गेहूं से एलर्जी से बचने की उम्मीद में थॉमस यू.एस. वर्जिन द्वीप समूह में, जिससे लिलिएनफेल्ड अपने जीवन के अधिकांश समय पीड़ित रहा था। लिलिएनफेल्ड ने अक्सर सेंट थॉमस और विभिन्न मुख्य भूमि स्थानों के बीच यात्रा की और नए विचारों का परीक्षण करना और परिणामी उत्पादों का पेटेंट कराना जारी रखा।

लिलिएनफेल्ड के पेटेंट

  • US 1122011  "Process and apparatus for producing Roentgen rays" filed on 1912-10-02, describing an X-ray tube that produced x-rays from electrons emitted from a hot filament
  • US 1218423  "Roentgen ray tube" filed on 1914-04-17, describing a refinement of his earlier X-ray tube that produced x-rays from electrons emitted from a hot filament
  • US 1745175  "Method and apparatus for controlling electric current" first filed in Canada on 1925-10-22, describing a field-effect transistor
  • US 1900018  "Device for controlling electric current" filed on 1928-03-28, a thin film field-effect transistor
  • US 1877140  "Amplifier for electric currents" filed on 1928-12-08, solid state device where the current flow is controlled by a porous metal layer, a solid state version of the vacuum tube
  • US 2013564  "Electrolytic condenser" filed on 1931-08-29, describing an electrolytic capacitor

यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 American Dictionary of National Biography: Supplement 2 by Mark C. Carnes, 2005
  2. ↑ Kleint, Christian (1998-04-01). "Julius Edgar Lilienfeld: Life and profession". Progress in Surface Science. 57 (4): 253–327. doi:10.1016/S0079-6816(98)80026-9. ISSN 0079-6816.
  3. ↑ Kleint, Christian (1998-04-01). "Julius Edgar Lilienfeld: Life and profession". Progress in Surface Science. 57 (4): 253–327. doi:10.1016/S0079-6816(98)80026-9. ISSN 0079-6816.
  4. ↑ "सॉलिड स्टेट डिवाइस की एक बहुत प्रारंभिक अवधारणा". IEEE Global History Network. IEEE. Retrieved 21 July 2011.
  5. ↑ U.S. Patent 1,745,175 Method and apparatus for controlling electric currents
  6. ↑ Thomas H. Lee, The design of CMOS radio-frequency integrated circuits. Cambridge University Press, 2004 ,p.167ff
  7. ↑ Joel N. Shurkin (8 January 2008). Broken genius: the rise and fall of William Shockley, creator of the electronic age. Palgrave Macmillan. pp. 116–. ISBN 978-0-230-55192-3. Retrieved 10 September 2011.
  8. ↑ J.E. Lilienfeld (1919). "Die sichtbare Strahlung des Brennflecks von Röntgenröhren" [The visible radiation of the luminous spots of x-ray tubes]. Physikalische Zeitschrift (in German). 20 (12): 280–282.{{cite journal}}: CS1 maint: unrecognized language (link)
  9. ↑ Boersch, Hans; Radeloff, C.; Sauerbrey, G. (1961). "Über die an Metallen durch Elektronen ausgelöste sichtbare und ultraviolette Strahlung" [On the visible and ultraviolet radiation caused by electrons [impinging] on metals]. Zeitschrift für Physik A (in German). 165 (4): 464–484. Bibcode:1961ZPhy..165..464B. doi:10.1007/BF01381902. S2CID 120824347.{{cite journal}}: CS1 maint: unrecognized language (link)
  10. ↑ Boersch, Hans; Radeloff, C.; Sauerbrey, G. (1961). "Experimental detection of transition radiation". Phys. Rev. Lett. 7 (2): 52–54. Bibcode:1961PhRvL...7...52B. doi:10.1103/PhysRevLett.7.52.
  11. ↑ "जूलियस एडगर लिलिएनफेल्ड पुरस्कार". American Physical Society. Retrieved 27 June 2022. The prize was established in 1988 under the terms of a bequest of Beatrice Lilienfeld in memory of her husband, Julius Edgar Lilienfeld.
  12. ↑ "Espacenet - Original document".
  13. ↑ "Espacenet - Original document".
  • Christian Kleint, Julius Edgar Lilienfeld: Life and profession. In: Progress in Surface Science, Volume 57, Issue 4, April 1998, Pages 253–327.
  • Chih-Tang Sag, Evolution of the MOS Transistor — From Conception to VLSI. In: Proceedings of the IEEE, Vol. 76, No. 10, October 1988, Paage 1280-1326.


बाहरी संबंध

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